Θέση 1 : Μια (1) θέση θέση τεχνικού/-ής εξωτερικού/-ής συνεργάτη/-ιδας ΔΕ, με ειδικότητα
τεχνίτη Υδραυλικού – Θερμοϋδραυλικού.

Θέση 2 : Μια (1) θέση τεχνικού/-ής εξωτερικού/-ής συνεργάτη/-ιδας ΤΕ, με ειδικότητα
Μηχανολόγου Μηχανικού.

Θέση 3-4 : Δύο (2) θέσεις τεχνικών εξωτερικών συνεργατών/-ιδων ΔΕ, με ειδικότητες
Ηλεκτροτεχνιτών.

Θέση 5 : Μια (1) θέση τεχνικού/-ής εξωτερικού/-ής συνεργάτη/-ιδας ΔΕ, με ειδικότητα
Μηχανικού Μηχανών Εσωτερικής Καύσης – Ηλεκτροσυγκολλητή.

Θέση 6 : Μια (1) θέση τεχνικού/-ής εξωτερικού/-ής συνεργάτη/-ιδας ΔΕ, με ειδικότητα
Ψυκτικού Εγκαταστάσεων.

Θέση 1 : Μία (1) θέση ενός/μιας εξωτερικού/-ικής επιστημονικού/-ικής συνεργάτη/-ιδας, διπλωματούχου Χημικού Μηχανικού ή Μηχανικού Ορυκτών Πόρων, με αντικείμενο τη δέσμευση διοξειδίου του άνθρακα με χρήση υδριτών, τη γεωλογική αποθήκευση διοξειδίου του άνθρακα και υδρογόνου, καθώς και την παραγωγή φυσικού υδρογόνου από γεωλογικούς ταμιευτήρες / πορώδη υλικά.

Θέση 1 : Μια (1) θέση εξωτερικού/-ής επιστημονικού/-ής συνεργάτη/-ιδας, απόφοιτου ΠΕ Οικονομικού, για εργασίες οικονομικής διαχείρισης και ανάλυσης του έργου (Financial Manager), στο πλαίσιο υλοποίησης του φυσικού αντικειμένου του έργου Ε-12380.

Θέση 2 : Μια (1) θέση εξωτερικού/-ής επιστημονικού/-ής συνεργάτη/-ιδας, απόφοιτου Μηχανικού ή συναφούς ειδικότητας, για εργασίες διαχείρισης του έργου (Project Manager), στο πλαίσιο υλοποίησης του φυσικού αντικειμένου του έργου Ε12380.

Θέση 1 : Μία (1) θέση εξωτερικού/-ής επιστημονικού/-ής συνεργάτη/-ιδας, με ειδικότητα Μηχανικού Έρευνας και εξειδίκευση σε σύγχρονα ηλεκτρονικά μικροσκόπια σάρωσης SEM με κανόνι εκπομπής ηλεκτρονίων με επίδραση πεδίου (Field Emission SEM), καθώς και εμπειρία στην έρευνα, λειτουργία, και συντήρηση των SEM και εμπειρία στη παρατήρηση νανοδομών.

Θέση 2 : Μία (1) θέση εξωτερικού/-ής επιστημονικού/-ής συνεργάτη/-ιδας, με ειδικότητα Μηχανικού Έρευνας και εξειδίκευση στην έρευνα, ανάπτυξη και βελτιστοποίηση διεργασιών υλικών και διατάξεων με διεργασίες στον καθαρό χώρο (clean room) με διεργασίες Α) ιοντικής εμφύτευσης (Ion Implantation), Β) εγχάραξης με πλάσμα (Plasma Etching), Γ) εναπόθεσης διηλεκτρικών και ημιαγώγιμων υμενίων σε Χαμηλή Πίεση (Low Pressure Chemical Vapor Deposition).